LDMOS(AFT05MS031NR1)PPリニアアンプの見直し完成

分かりました、今までいろいろと考えられることをやりましたが高調波がなかなか少なくなりませんでしたが入力のコンデンサー0.01を2個にしたら劇的に改善されました。スペアナのデータはLPFなしで2倍の高調波はほとんど見えません、3倍は-30db前後です、出力は3W前後まで抑えたデータです、Redpitayaから2段でKW出そうです。

LDMOS(AFT05MS031NR1)PPリニアアンプの見直し＃２

伝送トランスの巻き数が多いのではないかと思い測定したところ160μHもありました、コアーはT82-43スタックです。KWアンプのトランスも測定したところ26 μH ですので巻きすぎのようです13回を6回まで減らしたところ45 μH になりました、4-5回に減らしてもよさそうです、巻き数が多すぎるとリアクタンス分が増えます。6ｔでデータを取ってみました。14MHｚで10WのLPFを通った後です、2倍の高調波は-40ｄｂぐらいでした。特に改善された様子はありませんが良しとします。
追記：T82-61スタックでは10回巻で19.8 μHでした、61材では13回巻が良いようです。

LDMOS(AFT05MS031NR1)PPリニアアンプの見直し

ちょっと気になっていることがありもう一度2段目のアンプにもどり実験です、出力側の伝送トランスの巻き数を減らしたらどうなるか、入力トランスの巻き数は？トロイダルコア活用百科では伝送回路の動作周波数は、巻線長で上限周波数が決まりインダクタンスで下限周波数が決まるとなっています。
巻線長 は1/4波長以下これは問題ありません、 インダクタンスは測定してみます。 また今までは14MHｚしかデータを取ってませんでしたが他の周波数では？
伝送トランス は2ｔ減らしましたがあまり変わりません、周波数特性はLPFを外して見ますと21,28MHｚの方がPowerが出ます15W,14Wです。入力トランスは1ｔ2ｔより1ｔ1ｔの方がどの周波数でもPowerは出ました、 1ｔ1ｔ とは言ってもゲート側は中点にバイアス電源を供給してますのでそれぞれのゲートにはコアーを1回通過です、入力側は2回通過ですので？　結果14MHｚで9.2WがLPFを通しても11Wになりました。今回は高調波の波形やIMDも見ていませんので何ともいてませんが。3段目のKWアンプは3WもあればOKなのでアッテネーターを入れます、メーカー製のトランシーバーのようにどの周波数でも同じ出力を出すのは大変ですね！！

高出力LDMOSアンプNo.2製作#3

MRF1K50NR5 を使用した2号機 のTESTです、バイアスの調整をしようとしますがIDが流れません、調整用のVRの両側の抵抗100Ωと240Ωを入れ替えて電圧が上がるようにし解決アイドリングを2Aとします。Input 2WでOut 900W出ました、電源電圧を正確に測っていませんが48Vとすると効率62.5％です。ヒートシンクを取り付けてませんので短時間ですが銅板はかなり温度が上がってます。1号機の BLF188XR よりPowerが出そうです。

高出力LDMOSアンプNo.2製作#2

MRF1K50NR5 を使用した2号機 完成しました。特に出力側のハンダ付けはしっかりやらないとアークが発生し燃えます、実験にはオーバードライブに注意し出力側のSWRにも注意しますLDMOSはSWR65：1まで壊れないとなってますが意外と簡単に壊れるようです。ドレーンの電源側のパターンは片側15A流れますので幅をとりハンダを盛るなどした方がよさそうです。

高出力LDMOSアンプNo.2製作#1

MRF1K50NR5 を使用した2号機（左）制作開始しました、あとトランス2個で完成です。 MRF1K50NR5 はビス止めの穴がありませんので銅板にハンダ付けです。FETを ハンダ付けと聞くとちょっと引けますが今までに20回ぐらいやってますが ハンダ付けでFETが壊れたことは1回もありません。Youtubeに動画がありますのでご覧ください。最初のころは温度など測ってましたが最近はハンダが溶けたらバーナーを止め位置調整をし少し冷えたところで水道の水を掛けジューで出来上がりです。

高出力LDMOSアンプNo.1製作#4

回路はW6PQL　JimさんのほとんどコピーですJimさんのHFアンプのKitは今までに3台作りました。いざ自分で部品を集めようとするとどこで売っているのかわからない物があります、LDMOS BLF188XR(20K前後）は出どころのはっきりしたところから購入した方が良いでしょう特に中国からのシッピングは安くてもやめた方がよさそうです、中身が空でカッコだけの商品があるようです、私も香港からなら大丈夫ではと購入しましたがFETの接着剤の色が違います怪しいのでまだ使ってはいません。チップのコンデンサーも高耐圧のものが手に入りにくいようです。
使用コアーはLaird Technologiesタイプ28B1020-100 （１個189円）28B1000-000（86円）,28B0375-300（23円） Mouser Electronics で購入できます
T1は 28B0375-300 を２個瞬間接着剤でくっ付けましたイン側が２回FET側は１回巻です。
T2　 28B1020-100 25Ωテフロン同軸3回、この25Ωの同軸がなかなか手に入りませんのでRG316を2本平行にして巻きます、RG316も手に入りにくいのですが秋月で売っている両端ＳＭＡケーブルＲＧ－３１６　1.5ｍ を37ｃｍに4本切り使用しました（700円）
L1　 28B1000-000 　1.4ｍｍEC線9回巻
T3　 28B1020-100 　50Ωテフロン同軸3回（ハムフェアーで昨年購入）
銅板は10ｍｍX110X170　4773円　こんなに大きくなくてもよいのですが【工具と金属材料の通販】コウイチロウでオーダーできます、ここまででジャンクのヒートシンクも入れて部品代は30Kぐらいでしょうか。
0.01 630V　5.1V 1W ZDIODEは余分にありますのでこれから作ろうという方返信用封筒に切手を貼ってを送っていただければ お分けします、JARL.comでメールをください。（2019/7/25）
回路図の入力側ATTはドライブのTXにより調整して下さい、昨日は800Wまでは確認しましたが実験用電源の容量不足でそれ以上は確認出来ていません、50V30Aで動作させればKWは出そうです。

高出力LDMOSアンプNo.1製作#3

暫くお休みしていたKWアンプの実験を始めました。1W（30dbm) 入力 ですんなりと700W(58.45dbm)出力が出ました（14MHｚ、高調波含む）。48V電源で24A電源入力1152Wですので効率60.7％です、この後LPFを通しIMDの測定 プリディストーション などまだまだです。Redpitayaから3段増幅でKW近くまでできましたので祝杯をあげましょう。

高出力LDMOSアンプ

ここのところ仕事が忙しかったり家庭内で風邪がはやってたりとなかなか前に進めません、もたもたしている間にMouserにオーダーしてあったKWアンプNo.2用のMRF1K50NR5が届きました。真っ黒で印字がないのかとよく見たらありました、ちょっと見ると偽物のようです。No.1の BLF188XR は生産中止になってます、値段も MRF1K50NR5 の方が安いようです20Kでした。

高出力LDMOSアンプNo.1製作#2

トランスを巻き部品の取り付けは終わりましたが動くでしょうか？
BLF188XRを使用コアーは よくKWアンプに使われているLaird Technologiesタイプ28B1020-100 （１個189円）RFCに28B1000-000,入力トランスに28B0375-300 を使用、ディバイスをNXPの MRF1K50NR5 を使ってもう1台制作する予定です。
今晩はここまで。