2mアンプ試運転

AC電源を200Vにし先日作ったPWM制御と4cm角のファン(最大50000回転)を取り付けLDMOSにダイレクトに吹き1KWで実験、55秒送信65秒受信でLDMOSの横に付けたサーミスターで温度変化を見ます。送信スタート時39.1度55秒後44.2度で均衡しました、Powerは少し落ちますが10W程度でしょうか、アンプの入力に10dbのATTが付いていますそれを入れて計算すると1.8W入力です。効率も66%(LPFを通して)と満足が行く結果となりました。
(LDMOS: MRF1K50H)
Powerを出すコツかどうか分かりませんが今回気を付けたことは
1. ハンダ付けです必要以上にもらない。430MHzのアンプではハンダ付けを見直しただけで300Wが400Wになりました。
2. 熱処理です、デジタル通信ではSSBと違ってフルパワー送信時間が多くなります上手く放熱できないとFETの温度が上がりPowerが下がってきます。銅のブロックとアルミヒートシンクの熱伝導グリスの材質や塗り方で3度4度違ってきます、手を抜かないことでしょうか。
3. FETにダイレクトに風を当てるのも効果があることが分かりました。