LDMOS小型リニアアンプの実験＃7

前回までのLDMOSアンプは置いておいて次に進みます。今回のLDMOSはAFT05MS031Nｄです、 136–520 MHz, 31 W, 13.6 V WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS となっています。ねじ止めではなくハンダ付けタイプですので50X70X5ｍｍの銅板に ハンダ付け しました。方法は2ｍKWアンプのときと同じでバーナーの上に大き目な銅板（アルミ板など）を乗せその上に今回の銅板をのせます、FETのハンダ面と同じくらいのハンダを写真のように加工しその上にFETを乗せ温めていきます、ハンダが溶けたところで位置を修正し冷やします、Youtubeに2ｍアンプを作ったときの動画がありますこちらをご覧ください。基板は1ｍｍ厚のガラエポ両面がありましたのでそれを使います。完成したら銅板ごとヒートシンクに固定します。
5月 25th, 2019 in Uncategorized